封裝的工藝流程是半導體制造中的重要環節之一，用于將成品芯片封裝到底部具有金屬引腳或球的塑料外殼中。以下是一般的封裝工藝流程：

1. 硅晶圓準備：晶圓首先經過切割、玻璃鈍化處理和清洗等步驟。

2. 固定晶片：將芯片粘在底座上，并使用特殊工具進行定位。

3. 導線焊接：用線或球連接芯片與引腳，然后將它們粘貼到芯片的側面。

4. 塑料注射成型：將塑料顆粒加熱并注入到模具中，在高壓下形成帶有引腳或球的塑料外殼。

5. 清洗和測試：清洗殘留物并進行質量檢測，以確保每個封裝芯片符合規格要求。

6. 割裂：隨后，外殼將被切斷，并在適當的位置上標記編號等信息。

7. 包裝：最后，完成的芯片被放置在耐靜電環境下的密封包裝中，準備發貨。

以上是一般的封裝過程，在實際的操作過程中可能會因應不同的產品需求而有所調整。

封裝工藝的流程是提供半封裝晶圓，所述半封裝晶圓上具有切割道以及芯片的金屬焊墊；在切割道上形成第一保護層；在金屬焊墊上形成球下金屬電極；在所述球下金屬電極上形成焊球；沿所述切割道對晶圓進行劃片。

該發明所述的第一保護層能夠使得切割道內的金屬不被電鍍析出，且在切割后能夠保護分立芯片的側面，工藝流程簡單，提高了封裝效率以及成品率。

1.封裝工藝流程 一般可以分為兩個部分，用塑料封裝之前的工藝步驟成為前段操作，在成型之后的工藝步驟成為后段操作。

2.芯片封裝技術的基本工藝流程：硅片減薄 硅片切割 芯片貼裝，芯片互聯 成型技術 去飛邊毛刺 切筋成型 上焊錫打碼等工序。

3.硅片的背面減薄技術主要有磨削，研磨，化學機械拋光，干式拋光，電化學腐蝕，濕法腐蝕，等離子增強化學腐蝕，常壓等離子腐蝕等。

4.先劃片后減薄：在背面磨削之前將硅片正面切割出一定深度的切口，然后再進行背面磨削。

5.減薄劃片：在減薄之前，先用機械或化學的方式切割處切口，然后用磨削方法減薄到一定厚度之后采用ADPE腐蝕技術去除掉剩余加工量實現裸芯片的自動分離。

6.芯片貼裝的方式四種：共晶粘貼法，焊接粘貼法，導電膠粘貼法，和玻璃膠粘貼法。

共晶粘貼法：利用金-硅合金（一般是69%Au,31%的Si），363度時的共晶熔合反應使IC芯片粘貼固定。

7.為了獲得較佳的共晶貼裝所采取的方法，IC芯片背面通常先鍍上一層金的薄膜或在基板的芯片承載座上先植入預芯片

8.芯片互連常見的方法有，打線鍵合，載在自動鍵合（TAB）和倒裝芯片鍵合。

9.打線鍵合技術有，超聲波鍵合，熱壓鍵合，熱超聲波鍵合。

10.TAB的關鍵技術：1芯片凸點制作技術2TAB載帶制作技術3載帶引線與芯片凸點的內引線焊接和載帶外引線焊接技術。

11.凸點芯片的制作工藝，形成凸點的技術:蒸發/濺射涂點制作法，電鍍凸點制作法置球及模板印刷制作，焊料凸點發，化學鍍涂點制作法，打球凸點制作法，激光法。

12.塑料封裝的成型技術，1轉移成型技術，2噴射成型技術，3預成型技術但主要的技術是轉移成型技術，轉移技術使用的材料一般為熱固性聚合物。

13.減薄后的芯片有如下優點：1、薄的芯片更有利于散熱；2、減小芯片封裝體積；3、提高機械性能、硅片減薄、其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之間的連線也越短，元件導通電阻將越低，信號延遲時間越短，從而實現更高的性能；5、減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片加工量，降低芯片崩片的發生率。

14. 波峰焊：波峰焊的工藝流程包括上助焊劑、預熱以及將PCB板在一個焊料波峰上通過，依靠表面張力和毛細管現象的共同作用將焊劑帶到PCB板和元器件引腳上，形成焊接點。

波峰焊是將熔融的液態焊料，借助于泵的作用，在焊料槽液面形成特定形狀的焊料波，裝了元器件的PCB置于傳送鏈上，經某一特定的角度以及一定的進入深度穿過焊料波峰而實現焊點的焊接過程。

再流焊：是通過預先在PCB焊接部位施放適量和適當形式的焊料，然后貼放表面組裝元器件，然后通過重新熔化預先分配到印制板焊盤上的焊膏，實現表面組裝元器件焊端或引腳與印制板焊盤之間機械與電氣連接的一種成組或逐點焊接工藝。

15.打線鍵合（WB）：將細金屬線或金屬帶按順序打在芯片與引腳架或封裝基板的焊墊上形成電路互連。打線鍵合技術有超聲波鍵合、熱壓鍵合、熱超聲波鍵合。

載帶自動鍵合（TAB）：將芯片焊區與電子封裝外殼的I/O或基板上的金屬布線焊區用具有引線圖形金屬箔絲連接的技術工藝。

倒裝芯片鍵合（FCB）：芯片面朝下，芯片焊區與基板焊區直接互連的一種方法。

16. 芯片互連：將芯片焊區與電子封裝外殼的I/O或基板上的金屬布線焊區相連接，只有實現芯片與封裝結構的電路連接才能發揮已有的功能。